存储超级周期袭来，三星电子和SK海力士的投资竞争也正式拉开了帷幕。
三星电子重启了因担忧半导体设备过度投资而搁置许久的平泽新工厂（P5）建设，与此同时，SK海力士也将此前宣布的120万亿韩元规模龙仁半导体集群预计投资金额上调至约 600 万亿韩元。此前，这两家公司都曾因AI泡沫论及DRAM供应过剩而出现大规模亏损，如今扩大设备投资规模，这无疑印证了市场对存储超级周期的预测。业内普遍预测，此次存储繁荣期不仅将持续至明年，甚至可能延续到 2028 年之后。
三星电子：平泽P5工厂重启
据报道，三星电子近期重启了耗资 60 万亿韩元以上的京畿道平泽工厂第二园区 5 号线（P5）项目建设。P5 工厂预计将成为同时生产下一代高带宽内存（HBM）和通用 DRAM 的混合型工厂，计划 2028 年启动运营，届时将根据市场情况考虑是否搭建晶圆代工生产线，也存在提前投产的可能性。
从中长期规划来看，三星电子一直致力于将平泽工厂第一园区（P1~P4）与第二园区（P5~P6）整合，打造总面积达 87 万坪的半导体生产基地。若 P5 和 P6 按计划建成，平泽将成为三星电子全球最大的半导体生产据点。目前 P4 工厂的 4 条生产线中，3 条已投入运营或即将投产，未来将负责第六代10纳米级1c DRAM和 HBM4的量产工作。
此外，三星电子还计划投资 360 万亿韩元，在龙仁半导体国家产业园区集群建设 6 座晶圆厂，预计 2031 年前全部完工。首期目标是明年年底前开工建设 1 号晶圆厂，2030 年实现投产。待平泽工厂生产线扩建与龙仁半导体国家产业园区集群工程全部完工后，三星电子将有12座投入运营的晶圆厂。
SK海力士：龙仁集群建设4座晶圆厂
SK海力士此前在资本投资方面一直比较谨慎，如今正加速将已处于饱和状态的利川、清州工厂的有限生产设备，向龙仁半导体集群扩展。
据悉，SK海力士近期将龙仁半导体集群的洁净室面积较原计划扩大了 50%。不久前，龙仁特别市最终批准并公示了龙仁半导体集群一般产业园区的第 9 次产业园区计划变更，将 SK海力士用地（A15）的容积率从原 350% 上调至 490%，建筑物最高高度也从 120 米放宽至 150 米。这使得龙仁半导体集群内晶圆厂的洁净室面积得以增加，可以建成比原定计划大 1.5 倍的洁净室，当然投资金额也随之扩大。
此外，SK海力士预计在龙仁半导体集群建设4座晶圆厂，每座晶圆厂的规模均与 SK海力士近期竣工的清州 M15X 工厂的6座晶圆厂相当。去年，SK海力士曾宣布为清州 M15X 工厂建设投入 20 万亿韩元以上。据此估算，龙仁半导体集群单座晶圆厂就需投入120万亿韩元以上，4座晶圆厂全部完工后，总投资预计至少达到480万亿韩元。考虑到龙仁半导体集群是一项规划至 2050 年的长期项目，结合物价上涨、开发成本增加等因素，这一投资规模应该为合理估算。
值得注意的是，，SK会长崔泰元不久前透露，SK海力士在龙仁半导体集群的总体投资预计将达约600万亿韩元。
韩国投资证券研究员表示：“（存储）2026年全年将持续供应短缺，平均销售单价（ASP）会稳步上涨，同时随着 HBM 销量扩大，盈利能力将大幅提升。由AI引发的存储行业周期上涨才刚刚开始”。
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